ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > BCR 146F E6327
Datasheet下载- 型号： BCR 146F E6327
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCR 146F E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCR 146F E6327价格参考。InfineonBCR 146F E6327封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3。您可以下载BCR 146F E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCR 146F E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BCR146F E6327是一款预偏置的单双极晶体管（BJT），适用于多种应用场景，特别是在需要稳定电流控制和信号放大的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 BCR146F E6327可以用于电源管理电路中，作为开关或线性调节器的一部分。它能够有效地控制电流流动，确保输出电压的稳定性。在低功耗应用中，预偏置特性使得晶体管能够在特定的工作点上保持稳定，减少功耗和发热。 2. 音频放大 在音频设备中，BCR146F E6327可用于前置放大器或功率放大器的输入级。其高增益和低噪声特性使其适合处理微弱的音频信号，提供清晰、稳定的音频输出。预偏置功能有助于避免交越失真，提升音质表现。 3. 传感器接口 该晶体管可以用于传感器信号的调理电路中，特别是在需要将微弱的传感器输出信号放大到可测量水平的情况下。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，BCR146F E6327可以作为信号放大器，确保传感器信号的准确性和可靠性。 4. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，BCR146F E6327可以用作驱动晶体管，控制电机的启动、停止和速度调节。预偏置特性有助于提高电机的响应速度，并减少启动时的冲击电流，延长电机寿命。 5. 通信设备 在通信设备中，BCR146F E6327可以用于射频（RF）信号的放大和调制。其宽工作频率范围和稳定的性能使其适合应用于无线通信模块中的信号处理部分，确保信号的完整性和传输质量。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，BCR146F E6327可以用于各种模拟信号的放大和处理，如PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出信号调理。其预偏置特性有助于提高系统的抗干扰能力和稳定性，确保工业设备的可靠运行。 总结 BCR146F E6327凭借其预偏置特性和稳定的性能，广泛应用于电源管理、音频放大、传感器接口、电机驱动、通信设备以及工业自动化等领域。其高增益、低噪声和宽工作频率范围使得它成为许多电子电路设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/bcr146series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440120c6802b7 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BCR 146F E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | PG-TSFP-3 |
| 其它名称 | BCR146FE6327XT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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